磁性材料的"第三类"现身:交错磁性首次在层状材料中被实锤

长期以来磁性只分"铁磁"与"反铁磁"两大类,但理论预言存在第三类——交错磁性:自旋排列像反铁磁一样相互抵消、净磁化为零,电子能带却像铁磁一样发生自旋劈裂。美国团队在插层化合物 Co₁/₄TaSe₂ 中用角分辨光电子能谱,首次在层状材料中观测到这一劈裂。它有望成为新一代自旋电子学与高密度存储的基石。
提到磁性,大多数人的第一反应是铁磁(ferromagnetism)——吸铁石的磁。但物理学家早就知道还有反铁磁(antiferromagnetism):相邻原子的磁矩方向相反,相互抵消,整体"不显磁"。长期以来,主流认知就这两大类。
直到近几年,理论预言了一个"杂交品种"——交错磁性(altermagnetism):它的自旋像反铁磁一样两两抵消,净磁化为零;可它的电子能带却像铁磁一样,把自旋向上和向下的电子"劈开"。这种"既像又不像"的特性,让它在抗串扰和可操控之间找到了难得的平衡。
图1:交错磁性在自旋排列上像反铁磁,在电子能带上却像铁磁
在层状材料里"看见"它
2026 年 8 月 20 日,一项发表于《自然·通讯》的研究,把交错磁性从理论推向了实验。团队聚焦插层化合物 Co₁/₄TaSe₂,用磁化率测量确认了它 A 型反铁磁序(Néel 温度 178 K),再用角分辨光电子能谱(ARPES)配合 DFT 计算,在费米面附近清晰看到了自旋劈裂——这正是交错磁性的"指纹"。升温越过 Néel 温度后,能带结构随之重构,进一步印证了这种劈裂确实来自交错磁序。
图2:交错磁性把自旋向上与向下的能带劈开,这是它可被探测与操控的关键
价值在哪
自旋电子学靠电子自旋存储和处理信息。铁磁材料强、但器件间容易相互串扰;反铁磁零净磁化、抗串扰,却难读写。交错磁性恰好两头占优:零净磁化(抗干扰)+ 自旋劈裂(可读写),被视为新一代高密度、低功耗磁性存储的理想候选。Co₁/₄TaSe₂ 的实锤,为探索这类材料打开了一个可操作平台。
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